
차세대 메모리 반도체인 자성메모리(MRAM)의 안정성·효율성을 획기적으로 높이는 기술을 국내 연구진이 세계 최초로 개발했다. 7일 과학기술정보통신부에 따르면, 김영근(고려대)·남기태(서울대) 교수 연구팀(제1저자 고려대 전유상 박사, 정은진 연구원)은 외부 자기장 없이 상온에서 전자의 스핀을 제어할 수 있는 새로운 자성 나노 나선 구조와 이를 이용해 스핀을 선택적으로 이동시키는 기술을 개발했다. 이는 국제 학술지 ‘사이언스’에 지난 5일 게재됐다.